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近日，美国商务部宣布初步裁定结果，针对中国企业的临时性反补贴税为2.90%至4.73%。据了解，江苏中能、赛维LDK、洛阳中硅、大全新能源等4家国内主要多晶硅制造企业已经联合十几家中小企业向中国商务部提交双反调查申请。1.主要任务作为国家级高新技术企业、国家及地方标准制订承担单位，聚作公司自创企开始即高度重视技术专利创新与标准化制订战略的深化实施。目前，该公司已参与制订国家标准《室内工作环境的不舒适眩光》（标准号：GB/Z26211-2010）、广东省地方标准广东省《太阳能路灯》标准（标准号：DB44T），牵头起草四项深圳市LED室内标准。在专利方面，截止2011年底，公司已拥有专利52项，其中发明专利12项，PCT国际专利2项，实用新型专利38项。3.全球集成电路产业竞争格局继续发生深刻变化。当前全球集成电路产业格局进入重大调整期，国际金融危机后，行业巨头加快先进工艺导入，加速资源整合、重组步伐，强化产业链核心环节控制力和上下游整合能力。国家应对西部大型光伏电站统一规划布局，同时结合产业布局，将能耗高的硅料、硅棒产业链和光伏电站结合，就地消化，减少电力外送;同时鼓励在中东部地区利用荒地、山地、滩涂等闲置土地，建设大型光伏电站，其创造的经济价值远比在西部地区高。
当地时间22日，美国国际贸易委员会发布公告，再次发起337调查。13家中国LED照明企业出现在被调查的企业名单中。深圳金优田照明科技有限公司副总经理张铁勇在得知公司已被列入337调查的涉案企业时，第一反应是吃惊。他此前从未听说过什么叫337。跟意外中招的金优田不同，同时被调查的几家大公司对于337调查并不陌生。早在2008年，美国就曾对中国的4家LED照明企业展开过有关专利技术的调查。美国不断发起的对中国LED照明企业的专利侵权调查，折射出中国在LED技术方面的短板和受制于人，也从侧面反映出中国LED产业无比艰难的技术之路。落后10年技不如人上世纪90年代初，日本研究出蓝光LED后，很快就成功解决了白光LED，使LED照明成为可能。白光LED问世后得以快速发展，10多年中，白光LED的光效提高了近10倍，LED开始作为一种新型的固体光源(SSL)进入照明领域，欧、美、日一批实力雄厚的LED照明企业纷纷崛起。10年后的2003年6月，科技部联合信息产业部、教育部、原建设部、中科院、轻工业联合会等单位成立国家半导体照明工程协调领导小组，启动国家半导体照明工程，同年成立国家半导体照明工程研发及产业联盟。以此为标志，中国的LED照明产业开始起步。我们的LED照明产业比国际上晚了10年。而上世纪90年代末，日本的LED照明产业就已经实现了产业化。国家半导体照明工程研发及产业联盟副秘书长阮军对记者说。北京半导体照明科技促进中心秘书长耿博告诉记者，虽然目前我国的LED照明产业取得了长足的进步，但在掌握核心技术方面的现状却依然不容乐观，相关核心知识产权基本都掌握在国外厂商手中。从目前世界范围内GaN基LED产业发展来看，前5大公司美国科瑞、德国欧司朗、荷兰飞利浦、日本日亚以及丰田合成拥有80%～90%的原创性发明专利。耿博介绍说。据阮军介绍，目前，GaN基LED照明产品占到了全部LED产品的80%以上，而其核心技术主要集中在GaN基外延片的生成上。关于这项技术的专利约有1000多项，基本都掌握在日本企业手中，我们的企业只掌握少数边缘技术专利。弱小的LED产业大国虽然国家在LED照明产业的相关技术研发投入上持续增长，但与国外企业的研发费用相比，还是显得不够。科技部在十五期间对LED照明产业的投入为5000万元，十一五期间翻了6倍达到3亿元。而飞利浦仅一年用于固态照明(主要为LED照明)的科研投入就高达4000万欧元。耿博说。据最新行业数据显示，2011年全年，我国LED照明产业的产值约为1500亿元。从产值上说，步入LED生产大国。但耿博认为，虽然我国的产能很大，但在LED照明的全球产业链中并不占优势。是大国，但并不是强国。LED芯片主要依赖进口，应用国产芯片的很少，大功率(1W及以上)芯片还没有，芯片缺少自己的技术和知识产权。我国已拥有很大规模的LED封装产业，具有较优良的装备，但封装技术、材料和工艺，还存在一定差距。中国照明学会室内照明专业委员会名誉主任任元会告诉记者。他介绍，目前，LED照明的关键设备及材料严重依赖进口，比如MOCVD(金属有机化学气相沉积)、等离子刻蚀机等技术含量很高的设备，国内生产线全部依靠进口。阮军告诉记者，MOCVD设备是生产LED芯片的关键设备，目前全球的MOCVD设备基本由德国的Aixtron、美国的爱思强两家公司垄断。2010年，正是受制于MOCVD设备严重缺货，导致了一向降多涨少的LED芯片价格突然飙升，最高涨幅达50%。MOCVD设备占总成本比重相当大，其中蓝宝石衬底约占总成本的12%，因此这些上游重要设备的紧缺及原材料价格的上涨，直接推高了LED芯片及外延片的成本。阮军说。任元会表示，LED芯片及外延片生产商们是心有余而力不足，因为上游设备及原材料均为海外巨头垄断，并陷入严重的短缺中，这紧紧地绊住了当时中国LED照明企业的扩产步伐。一个LED生产大国，居然受制于一两家设备生产商而无能为力，这种上游催涨的情势正暴露出中国LED照明产业的短板。任元会说。他进一步指出，中国还未形成完善的LED产业链，发达国家在LED芯片技术上掌握话语权，这一状况不改变，中国很难成为LED产业强国。技术Vs市场上游Vs下游中国现在走的是市场加技术的道路。耿博认为，中国LED照明产业不能再走所谓市场换技术的路子，这实际上是放弃了自主研发。他认为，我国的LED照明产业应该将自主研发和引进技术相结合。同时，巨大的市场和产能会吸引大量的拥有核心技术的企业。复旦大学光源与照明工程系电光源所所长刘木清则认为，中国的LED照明产业在全球产业链中还是有其独特优势的。我们并不是完全没有技术，通过多年的努力，事实上，我们也拥有了众多的专利，只是我们的技术主要集中在中下游。不过，目前中下游的产品附加值也有升高的趋势。刘木清表示，目前LED照明产业中下游的产值要比上游大得多，当然竞争也激烈得多。我们是用我们巨大的市场以及中下游的技术优势来参与国际竞争。目前，LED照明产业的上下游越来越体现为共赢的关系，而且上游技术并非都是垄断的，这也能促成上游企业之间的竞争。目前国家对于LED照明的产业政策的确体现了上述思路。在启动十城万盏二期试点，绿色照明工程、半导体照明工程等十大重点节能工程的同时，科技部出台《国家十二五科学和技术发展规划》(下称《规划》)也对未来的LED照明产业相关核心技术发展做出了重点部署。如果说前者旨在扩大市场、做大LED产业，那么《规划》则在进一步进行技术突破。《规划》将半导体照明列为节能环保产业技术发展的重点，未来5年，将重点发展LED制备、光源系统集成、器件等自主关键技术，实现大型MOCVD设备及关键配套材料的国产化。据了解，目前一些国内企业，如天龙光电等已经开始试水MOCVD国产。耿博告诉记者，科技部在十二五期间，将通过863计划973计划国家支持科技计划等来对LED照明产业的技术研发提供资助。科技部的这三个计划都提到了对LED的技术资助，这一力度前所未有。东丽在展会nanotech2012上展出的大日本印刷公司的大尺寸电子纸在电子纸、柔性显示器及柔性太阳能电池领域，透明电极除原有的性能外，还需要具备抗弯性和抗拉伸性。面向上述用途的透明导电薄膜的开发竞争逐步进入量产阶段。东丽2012年2月发布了用于双层碳在电子纸、柔性显示器及柔性太阳能电池领域，透明电极除原有的性能外，还需要具备抗弯性和抗拉伸性。面向上述用途的透明导电薄膜的开发竞争逐步进入量产阶段。东丽2012年2月发布了用于双层碳纳米管（CNT）电子纸的透明导电薄膜量产技术。由此，基本实现了电子纸用透明导电薄膜用于实际时所需要的90％的光透射率、以及500以下的表面电阻值。该产品现已开始向部分厂商样品供货，预定2012年度内开始量产。东丽表示，希望能在电子纸透明导电薄膜市场上获得较大的份额。只给CNT外层增加极性双层CNT的形状是直径不同的两根CNT以同轴的形式圈套在一起的状态。直径约为3nm。与单层CNT相比，即使进行多种加工，性能也不易受损，导电性等也比多层CNT出色。此次东丽通过只让双层CNT的外层带有极性，全球首次开发出了能够防止凝聚问题出现的透明导电薄膜量产技术（图1）。透明导电薄膜是让双层CNT分布在溶液中形成弥散，然后在常压状态下，涂布在PET薄膜上形成的。图1：带电、防止凝聚东丽将双层CNT的外层稍微带电，防止了此前遇到的凝聚问题，实现了高效弥散。虽然CNT以前就作为透明导电薄膜材料备受关注，但由于无法解决CNT聚集成团的凝聚问题，因此未能达到薄膜等用途所要求的表面电阻值及光透射率（图2）。东丽的双层CNT由于解决了凝聚问题，所以拥有较其他CNT更为出色的特性。图2：CNT的透明导电性大幅提高作为透明导电薄膜材料，对东丽的双层CNT与其他CNT进行了比较。东丽的双层CNT在光透射率和导电性上占优势。根据东丽资料制图。东丽的双层CNT采用催化剂担载气相沉积法工艺制造。该工艺以金属粒子为催化剂，首先使这些粒子均匀分散并固定在载体上，然后通过喷射碳化氢在催化剂上生成双层CNT。与其他竞争公司大多没有采用载体的气相沉积法和电弧放电法相比，具有设备投资成本低、制造温度容许范围大等优点。东丽介绍说，采用该工艺制造的双层CNT的纯度高达90％以上。是电子纸的最强候补？透明电极此前一般采用铟（In）与锡（Sn）的氧化物ITO，但大多是在玻璃上成膜形成的。如果在柔性薄膜上对ITO进行成膜，就会出现弯曲或者拉伸时导电性大幅降低的问题。同时，稀有金属In在确保稳定供应方面也存在问题。因此，作为替代技术，多家公司纷纷提出了采用CNT、金属纳米粒子及导电性树脂等材料的多种技术（图3）。图3：双层CNT成为电子纸的有力候补根据东丽与本刊资料，对东丽的开发品与其他透明导电薄膜的特性作了比较（a）。相比低表面电阻值（高导电率），电子纸更注重高光透射率，因此双层CNT薄膜成为有力候补（b）。东丽认为，此次开发的双层CNT薄膜最适合注重光透射率的电子纸。理由是：在保持较高的光透射率的情况下，仍能凭借较低的表面电阻值（即高导电率）来获得与其他薄膜相当的特性。而且，双层CNT薄膜的耐弯曲性和耐拉伸性也大幅高于ITO薄膜及金属纳米粒子薄膜，同时在无色方面，也优于金属纳米粒子薄膜和导电性树脂PEDOT/PSS薄膜。注）PEDOT/PSS=3，4-乙烯二氧噻吩/聚4苯乙烯磺酸钠。金属纳米粒子方面，住友大阪水泥采用铜粒子作为布线材料。该公司正在开发光透射率为81％时、表面电阻值还不到0.1/□的超低电阻薄膜。东丽也在与美国Cambrios公司联合开发采用银纳米粒子的导电性薄膜。东丽介绍说，金属纳米粒子技术主要面向需要高导电性的用途。不过，当降低纳米粒子的密度，以便提高光透射率、用于电子纸时，就会出现凝聚现象，无法顺利使用。而且，PEDOT/PSS在耐湿热方面还有问题。看来，这些透明导电薄膜的实现技术，有必要根据不同用途来区别对待。日前从工业和信息化部获悉，2011年我国电子信息产品进出口总额11292.3亿美元，同比增长11.5%，占全国外贸总额的31%。2011年，我国电子信息产品进出口保持增长态势。工业和信息化部数据显示，2011年电子信息产品进出口总额11292.3亿美元，同比增长11.5%。其日前从工业和信息化部获悉，2011年我国电子信息产品进出口总额11292.3亿美元，同比增长11.5%，占全国外贸总额的31%。2011年，我国电子信息产品进出口保持增长态势。工业和信息化部数据显示，2011年电子信息产品进出口总额11292.3亿美元，同比增长11.5%。其中，出口同比增长11.9%，对全国外贸出口增长贡献率达21.9%。从月度走势看，受上年基数逐步走高影响，总体呈前高后低态势，特别是9月份后，出口增速连续低于10%。进口4680.3亿美元，同比增长11%，占全国外贸进口额的26.8%，对全国外贸进口增长的贡献率为13.3%。工业和信息化部有关负责人表示，电子信息产品出口有以下几个特点：首先，基础行业出口相对平稳，整机行业出口增势不一；从出口途径看，对欧美发达经济体出口形势低迷，对新兴市场出口增长较快；从出口结构看，一般贸易出口增长较快，加工贸易出口比重下降；外资企业出口相对缓慢，内资企业出口比重提升。此外，东部地区出口增速差别较大，部分中西部省市增长较快。2012年2月2日康宁公司和三星移动显示有限公司已签署协议，将成立一家新的股权合资企业，为迅速扩张的有机发光二极管（OLED）设备市场制造特种玻璃基板。结合了康宁Lotus玻璃基板技术与三星OLED显示技术，这一新的运营实体将占据优势地位，为当前和未来的用
据尚普咨询发布的研究报告显示：截至到2010年底，国内大概有大大小小500多家IC设计公司，虽然国内IC设计业公司比较多，但却存在一些问题。比如设计水平和设计能力增长缓慢的现状。也面临着成本不断上升，代工厂交货周期长等等问题。因此，十二五期间，行业结构应该进一步的调整，并且加强产业链的上游建设。并且，将继续强化以长三角、京津环渤海和泛珠三角的三大集聚区，以重庆、成都、西安、武汉为侧翼的产业布局，建成一批产业链完善、创新能力强、特色鲜明的产业集聚区。应用前景广阔政策需加强
每次认购比例% 跟单总额元 [注]最低认购比例为1%，(如计算出认购金额为2.2元，则取3元) [注]此方案剩余金额小于系统按照您设置的认购比例计算出的认购金额，将不跟单为加快新材料战略性新兴产业培育和发展，满足国家重大工程和传统产业优化升级的迫切需求，日前，科技部发布十二五规划2013年度材料领域备选项目征集指南。具体如下：一、指南方向与内容1.半导体照明1.1大电流驱动薄膜半导体照明技术开发(前沿技术类)围绕提升大电流注入下LED的光电性能与驱动电源可靠性，开展薄膜LED外延结构、芯片制备及封装技术，高集成、长寿命LED驱动芯片及模块研究，突破大电流驱动薄膜LED关键技术。1.2十城万盏半导体照明应用研究及示范(前沿技术类)研究半导体照明应用产品及智能化控制等系统集成技术，开发低成本、高可靠、规格化LED照明产品，提高灯具光提取效率、散热能力和可靠性，实现量产与规模应用；形成技术规范和标准；建设展示体验中心。【具体要求见指南申报要求(四)】2.新型显示2.1晶体材料和高性能激光引擎技术研究(前沿技术类)开展掺杂铌酸锂等极化晶体和激光引擎技术研究，突破低成本、小型化、高效率、高可靠性等关键技术，研制出全激光与混合发光等多种高性能激光引擎产品，实现量产与规模应用。2.2移动互联网显示关键技术研究(前沿技术类)开发移动互联网用高光效、高分辨率、视觉健康等新型高性能移动互联网显示器件；突破器件结构优化设计、材料制备等关键技术；开发高性能多点触控技术，实现移动互联网显示量产与规模应用。3.新型功能与智能材料3.1先进超导材料及其应用技术(前沿技术类)研发核磁共振用关键超导材料、高性能涂层导体长带材以及基于高性能超导材料的超导限流器和滤波器并实现应用。3.2高端有机氟材料技术研发(前沿技术类)开展六氟环氧丙烷及其衍生特种单体、耐高/低温氟橡胶、含氟涂层关键树脂、涂料级聚偏氟乙烯等制备技术开发并实现应用。3.3新型特种功能关键材料(前沿技术类)开展特高压绝缘材料、碳化硼基防护材料、铜包铝导体材料、多孔陶瓷/树脂复合材料等特种功能材料技术研究，实现量产与规模应用。3.4新型无源电子器件及其关键配套材料(前沿技术类)开展高性能声表面波滤波器、防伪防转移及抗电磁干扰材料、极细金属导体和高端电子铝箔等关键配套材料研究并实现应用。3.5新型智能传感与驱动材料(前沿技术类)开发新型温度敏感、电压敏感、化学敏感和压电、磁流变液等传感与驱动材料及器件，实现在核电、冶金、信息、快速智能检测等领域的应用。4.先进结构与复合材料4.1新型轻质高强合金(前沿技术类)研发新型高品质轻合金材料、高强韧耐腐蚀铁镍基特种合金，开发超薄、大型、复杂合金结构件，突破材料洁净化、均质化、细晶化、冶金缺陷控制、组织调控与精密成形制备技术，实现新型合金综合性能协同提高及工业化制备和规模应用。4.2高性能粉末冶金材料(前沿技术类)研究新型低成本铁基粉末冶金材料和高性能钛基粉末合金及其先进制备技术，突破高品质低氧粉末制备、高密度粉末冶金成形技术、强化和组合烧结、精确热加工等关键技术，实现关键构件尺寸和致密度精确控制及稳定制备和规模应用。4.3高性能金属基复合材料(前沿技术类)开发金属基复合材料结构设计与大型构件制备加工技术，突破增强体与基体适配、先进复合工艺、热处理改性和构件塑性成形与连接技术，提高材料的热强性和使用效能，实现复合材料轻量化、高性能化、多功能化及其稳定制备和规模应用。4.4层状结构先进复合材料(前沿技术类)研究多种金属(铝、钛、钢等)间及金属与非金属复合层状结构材料，突破材料成分设计、结构复合、加工协同变形、界面适配、缺陷控制、板形精确控制等关键技术，实现高效能、低成本层状复合结构材料的量产与规模应用。5.电子材料与器件5.1新型超高密度和移动存储关键技术(前沿技术类)开展电荷陷阱存储器、相变存储器和阻变存储器材料与器件研究。电荷陷阱存储器和相变存储器在移动互联网等方面获得应用；阻变存储器关键技术实现突破。5.2光电子集成芯片及其材料关键工艺技术(前沿技术类)开展多种光电材料集成芯片研究。基于多种材料的光电子集成芯片实现突破，硅基多种光电子器件与微电子电路单片集成芯片实现应用。5.3新型及特种光纤材料与应用关键技术(前沿技术类)掌握新型光纤和特种光纤的制备与应用技术。新型光纤与器件在光传输、光传感等方面获得规模应用，特种光纤与器件在医疗、电力等领域获得规模应用。6.材料设计制备与服役安全6.1材料多层次跨尺度设计与制备新技术(前沿技术类)开发材料多层次跨尺度集成设计技术、全寿命周期设计技术，以及信息与数据支撑系统，研发特种粉体材料近终成型、短流程高效制备及难加工金属高效成形等新技术，实现按使用要求设计和精确制备的目的。7.功能材料的应用开发及集成示范7.1功能化表面活性剂绿色制备及应用技术(应用开发及集成示范类)开发磺酸类等耐极端环境特种表面活性剂、日用化工用绿色浓缩化新型结构和生物质基表面活性剂及其表面活性剂配伍和清洁生产技术，实现规模化生产和应用。7.2绿色制革化工材料开发及应用示范(应用开发及集成示范类)开发绿色制革用助剂、鞣剂、整饰材料及鞋用功能新材料的生产技术，减少硫化物和重金属铬等污染物的产生，建成产业化示范工程。7.3纺织品清洁印染技术开发(应用开发及集成示范类)开发纺织面料湿短蒸印染、泡沫染色整理、分散染料免蒸洗印花、纱线清洁染整和矿物复合材料印染等纺织品清洁印染新技术，实现规模应用。7.4新一代聚己内酰胺(PA6)功能性纤维材料(应用开发及集成示范类)突破大容量PA6高效连续聚合、功能性PA6柔性化聚合、功能性PA6纤维制备及纺织染整等关键技术，建立大容量PA6连续聚合示范线，开发高附加值功能性PA6纤维材料。7.5高性能特种玻璃开发及应用(应用开发及集成示范类)开展高纯合成石英玻璃、工业微晶玻璃等特种玻璃生产工艺研究及其配套高抗侵蚀耐火材料研制，开发成套高性能特种玻璃生产技术，实现规模应用。8.结构材料的应用开发及集成示范8.1高性能聚酰胺工程塑料产业化关键技术(应用开发及集成示范类)开展耐高温和长碳链聚酰胺树脂、聚酰胺专用材料的合成和制备关键技术研究，建成聚酰胺树脂和专用材料工业化示范装置，实现在下游产业的应用。8.2新型水泥工业化低碳生产技术(应用开发及集成示范类)开展新型水泥熟料的矿物组成及水化过程研究；开发水泥熟料煅烧工艺技术和关键装备，显著降低水泥制备全过程的碳排放和能源、资源消耗，产品综合性能优于普通硅酸盐水泥，实现新型水泥的低碳生产和规模应用。二、指南申报要求(一)实施年限按照项目所属分类，前沿技术研究类为3-5年、应用开发与集成示范类为3年。(二)经费额度前沿技术研究类、应用开发与集成示范类项目申请的国拨经费原则上均不超过1000万元。(三)申报说明各申报单位可按指南二级标题(如:1.1)的方向申报全部或部分研究内容。其中，前沿技术研究类中有量产与规模应用要求的申请方向，须由企业牵头申报，应用开发及集成示范类申请方向均须由企业牵头申报。(四)十城万盏半导体照明应用研究及示范方向具体要求面向城市道路、隧道、广场、车站、停车场、节能建筑等市政照明不同应用场所，开展不同类型的半导体照明特色应用示范，开展特色应用相关技术开发，支撑十城万盏半导体照明试点工作。具体要求如下：1．本方向仅面向37家十城万盏试点城市申报，每个试点城市限报一项(不占用所在省市指标)，择优予以支持；2．试点城市结合试点工作方案，针对一种典型市政照明应用场所研究提出应用示范项目，组织构建以企业为主体，产、学、研、用紧密结合的研究团队；3．推荐项目由省级科技行政部门和省级住房城乡建设行政部门联合推荐，正式推荐函网上申报截止前报送我部。(五)申报咨询科技部高技术研究发展中心材料处：联系人：史冬梅蒋志君联系方式：010-68338021、68338919国内最大PCB废液回收处理的昶昕实业(8438-TW)，被指控涉入违法卖出硫酸铜给饲料业者，总经理陈彦亨强调，公司一切合法，对于出货给客户，客户怎么处理，昶昕无权无法干涉，公司出货所有产品上面都有注明工业用，绝不会让客户有混淆之虞，若有不肖人士意图捏
近日，美国商务部宣布初步裁定结果，针对中国企业的临时性反补贴税为2.90%至4.73%。据了解，江苏中能、赛维LDK、洛阳中硅、大全新能源等4家国内主要多晶硅制造企业已经联合十几家中小企业向中国商务部提交双反调查申请。1.主要任务作为国家级高新技术企业、国家及地方标准制订承担单位，聚作公司自创企开始即高度重视技术专利创新与标准化制订战略的深化实施。目前，该公司已参与制订国家标准《室内工作环境的不舒适眩光》（标准号：GB/Z26211-2010）、广东省地方标准广东省《太阳能路灯》标准（标准号：DB44T），牵头起草四项深圳市LED室内标准。在专利方面，截止2011年底，公司已拥有专利52项，其中发明专利12项，PCT国际专利2项，实用新型专利38项。3.全球集成电路产业竞争格局继续发生深刻变化。当前全球集成电路产业格局进入重大调整期，国际金融危机后，行业巨头加快先进工艺导入，加速资源整合、重组步伐，强化产业链核心环节控制力和上下游整合能力。国家应对西部大型光伏电站统一规划布局，同时结合产业布局，将能耗高的硅料、硅棒产业链和光伏电站结合，就地消化，减少电力外送;同时鼓励在中东部地区利用荒地、山地、滩涂等闲置土地，建设大型光伏电站，其创造的经济价值远比在西部地区高。
当地时间22日，美国国际贸易委员会发布公告，再次发起337调查。13家中国LED照明企业出现在被调查的企业名单中。深圳金优田照明科技有限公司副总经理张铁勇在得知公司已被列入337调查的涉案企业时，第一反应是吃惊。他此前从未听说过什么叫337。跟意外中招的金优田不同，同时被调查的几家大公司对于337调查并不陌生。早在2008年，美国就曾对中国的4家LED照明企业展开过有关专利技术的调查。美国不断发起的对中国LED照明企业的专利侵权调查，折射出中国在LED技术方面的短板和受制于人，也从侧面反映出中国LED产业无比艰难的技术之路。落后10年技不如人上世纪90年代初，日本研究出蓝光LED后，很快就成功解决了白光LED，使LED照明成为可能。白光LED问世后得以快速发展，10多年中，白光LED的光效提高了近10倍，LED开始作为一种新型的固体光源(SSL)进入照明领域，欧、美、日一批实力雄厚的LED照明企业纷纷崛起。10年后的2003年6月，科技部联合信息产业部、教育部、原建设部、中科院、轻工业联合会等单位成立国家半导体照明工程协调领导小组，启动国家半导体照明工程，同年成立国家半导体照明工程研发及产业联盟。以此为标志，中国的LED照明产业开始起步。我们的LED照明产业比国际上晚了10年。而上世纪90年代末，日本的LED照明产业就已经实现了产业化。国家半导体照明工程研发及产业联盟副秘书长阮军对记者说。北京半导体照明科技促进中心秘书长耿博告诉记者，虽然目前我国的LED照明产业取得了长足的进步，但在掌握核心技术方面的现状却依然不容乐观，相关核心知识产权基本都掌握在国外厂商手中。从目前世界范围内GaN基LED产业发展来看，前5大公司美国科瑞、德国欧司朗、荷兰飞利浦、日本日亚以及丰田合成拥有80%～90%的原创性发明专利。耿博介绍说。据阮军介绍，目前，GaN基LED照明产品占到了全部LED产品的80%以上，而其核心技术主要集中在GaN基外延片的生成上。关于这项技术的专利约有1000多项，基本都掌握在日本企业手中，我们的企业只掌握少数边缘技术专利。弱小的LED产业大国虽然国家在LED照明产业的相关技术研发投入上持续增长，但与国外企业的研发费用相比，还是显得不够。科技部在十五期间对LED照明产业的投入为5000万元，十一五期间翻了6倍达到3亿元。而飞利浦仅一年用于固态照明(主要为LED照明)的科研投入就高达4000万欧元。耿博说。据最新行业数据显示，2011年全年，我国LED照明产业的产值约为1500亿元。从产值上说，步入LED生产大国。但耿博认为，虽然我国的产能很大，但在LED照明的全球产业链中并不占优势。是大国，但并不是强国。LED芯片主要依赖进口，应用国产芯片的很少，大功率(1W及以上)芯片还没有，芯片缺少自己的技术和知识产权。我国已拥有很大规模的LED封装产业，具有较优良的装备，但封装技术、材料和工艺，还存在一定差距。中国照明学会室内照明专业委员会名誉主任任元会告诉记者。他介绍，目前，LED照明的关键设备及材料严重依赖进口，比如MOCVD(金属有机化学气相沉积)、等离子刻蚀机等技术含量很高的设备，国内生产线全部依靠进口。阮军告诉记者，MOCVD设备是生产LED芯片的关键设备，目前全球的MOCVD设备基本由德国的Aixtron、美国的爱思强两家公司垄断。2010年，正是受制于MOCVD设备严重缺货，导致了一向降多涨少的LED芯片价格突然飙升，最高涨幅达50%。MOCVD设备占总成本比重相当大，其中蓝宝石衬底约占总成本的12%，因此这些上游重要设备的紧缺及原材料价格的上涨，直接推高了LED芯片及外延片的成本。阮军说。任元会表示，LED芯片及外延片生产商们是心有余而力不足，因为上游设备及原材料均为海外巨头垄断，并陷入严重的短缺中，这紧紧地绊住了当时中国LED照明企业的扩产步伐。一个LED生产大国，居然受制于一两家设备生产商而无能为力，这种上游催涨的情势正暴露出中国LED照明产业的短板。任元会说。他进一步指出，中国还未形成完善的LED产业链，发达国家在LED芯片技术上掌握话语权，这一状况不改变，中国很难成为LED产业强国。技术Vs市场上游Vs下游中国现在走的是市场加技术的道路。耿博认为，中国LED照明产业不能再走所谓市场换技术的路子，这实际上是放弃了自主研发。他认为，我国的LED照明产业应该将自主研发和引进技术相结合。同时，巨大的市场和产能会吸引大量的拥有核心技术的企业。复旦大学光源与照明工程系电光源所所长刘木清则认为，中国的LED照明产业在全球产业链中还是有其独特优势的。我们并不是完全没有技术，通过多年的努力，事实上，我们也拥有了众多的专利，只是我们的技术主要集中在中下游。不过，目前中下游的产品附加值也有升高的趋势。刘木清表示，目前LED照明产业中下游的产值要比上游大得多，当然竞争也激烈得多。我们是用我们巨大的市场以及中下游的技术优势来参与国际竞争。目前，LED照明产业的上下游越来越体现为共赢的关系，而且上游技术并非都是垄断的，这也能促成上游企业之间的竞争。目前国家对于LED照明的产业政策的确体现了上述思路。在启动十城万盏二期试点，绿色照明工程、半导体照明工程等十大重点节能工程的同时，科技部出台《国家十二五科学和技术发展规划》(下称《规划》)也对未来的LED照明产业相关核心技术发展做出了重点部署。如果说前者旨在扩大市场、做大LED产业，那么《规划》则在进一步进行技术突破。《规划》将半导体照明列为节能环保产业技术发展的重点，未来5年，将重点发展LED制备、光源系统集成、器件等自主关键技术，实现大型MOCVD设备及关键配套材料的国产化。据了解，目前一些国内企业，如天龙光电等已经开始试水MOCVD国产。耿博告诉记者，科技部在十二五期间，将通过863计划973计划国家支持科技计划等来对LED照明产业的技术研发提供资助。开户体验金科技部的这三个计划都提到了对LED的技术资助，这一力度前所未有。东丽在展会nanotech2012上展出的大日本印刷公司的大尺寸电子纸在电子纸、柔性显示器及柔性太阳能电池领域，透明电极除原有的性能外，还需要具备抗弯性和抗拉伸性。
面向上述用途的透明导电薄膜的开发竞争逐步进入量产阶段。东丽2012年2月发布了用于双层碳在电子纸、柔性显示器及柔性太阳能电池领域，透明电极除原有的性能外，还需要具备抗弯性和抗拉伸性。面向上述用途的透明导电薄膜的开发竞争逐步进入量产阶段。东丽2012年2月发布了用于双层碳纳米管（CNT）电子纸的透明导电薄膜量产技术。由此，基本实现了电子纸用透明导电薄膜用于实际时所需要的90％的光透射率、以及500以下的表面电阻值。该产品现已开始向部分厂商样品供货，预定2012年度内开始量产。东丽表示，希望能在电子纸透明导电薄膜市场上获得较大的份额。只给CNT外层增加极性双层CNT的形状是直径不同的两根CNT以同轴的形式圈套在一起的状态。直径约为3nm。与单层CNT相比，即使进行多种加工，性能也不易受损，导电性等也比多层CNT出色。传奇老虎机在哪此次东丽通过只让双层CNT的外层带有极性，全球首次开发出了能够防止凝聚问题出现的透明导电薄膜量产技术（图1）。透明导电薄膜是让双层CNT分布在溶液中形成弥散，然后在常压状态下，涂布在PET薄膜上形成的。图1：带电、防止凝聚东丽将双层CNT的外层稍微带电，防止了此前遇到的凝聚问题，实现了高效弥散。虽然CNT以前就作为透明导电薄膜材料备受关注，但由于无法解决CNT聚集成团的凝聚问题，因此未能达到薄膜等用途所要求的表面电阻值及光透射率（图2）。东丽的双层CNT由于解决了凝聚问题，所以拥有较其他CNT更为出色的特性。图2：CNT的透明导电性大幅提高作为透明导电薄膜材料，对东丽的双层CNT与其他CNT进行了比较。东丽的双层CNT在光透射率和导电性上占优势。根据东丽资料制图。东丽的双层CNT采用催化剂担载气相沉积法工艺制造。该工艺以金属粒子为催化剂，首先使这些粒子均匀分散并固定在载体上，然后通过喷射碳化氢在催化剂上生成双层CNT。与其他竞争公司大多没有采用载体的气相沉积法和电弧放电法相比，具有设备投资成本低、制造温度容许范围大等优点。东丽介绍说，采用该工艺制造的双层CNT的纯度高达90％以上。是电子纸的最强候补？透明电极此前一般采用铟（In）与锡（Sn）的氧化物ITO，但大多是在玻璃上成膜形成的。如果在柔性薄膜上对ITO进行成膜，就会出现弯曲或者拉伸时导电性大幅降低的问题。同时，稀有金属In在确保稳定供应方面也存在问题。因此，作为替代技术，多家公司纷纷提出了采用CNT、金属纳米粒子及导电性树脂等材料的多种技术（图3）。图3：双层CNT成为电子纸的有力候补根据东丽与本刊资料，对东丽的开发品与其他透明导电薄膜的特性作了比较（a）。相比低表面电阻值（高导电率），电子纸更注重高光透射率，因此双层CNT薄膜成为有力候补（b）。东丽认为，此次开发的双层CNT薄膜最适合注重光透射率的电子纸。理由是：在保持较高的光透射率的情况下，仍能凭借较低的表面电阻值（即高导电率）来获得与其他薄膜相当的特性。而且，双层CNT薄膜的耐弯曲性和耐拉伸性也大幅高于ITO薄膜及金属纳米粒子薄膜，同时在无色方面，也优于金属纳米粒子薄膜和导电性树脂PEDOT/PSS薄膜。注）PEDOT/PSS=3，4-乙烯二氧噻吩/聚4苯乙烯磺酸钠。金属纳米粒子方面，住友大阪水泥采用铜粒子作为布线材料。该公司正在开发光透射率为81％时、表面电阻值还不到0.1/□的超低电阻薄膜。东丽也在与美国Cambrios公司联合开发采用银纳米粒子的导电性薄膜。东丽介绍说，金属纳米粒子技术主要面向需要高导电性的用途。不过，当降低纳米粒子的密度，以便提高光透射率、用于电子纸时，就会出现凝聚现象，无法顺利使用。而且，PEDOT/PSS在耐湿热方面还有问题。看来，这些透明导电薄膜的实现技术，有必要根据不同用途来区别对待。日前从工业和信息化部获悉，2011年我国电子信息产品进出口总额11292.3亿美元，同比增长11.5%，占全国外贸总额的31%。2011年，我国电子信息产品进出口保持增长态势。工业和信息化部数据显示，2011年电子信息产品进出口总额11292.3亿美元，同比增长11.5%。其日前从工业和信息化部获悉，2011年我国电子信息产品进出口总额11292.3亿美元，同比增长11.5%，占全国外贸总额的31%。2011年，我国电子信息产品进出口保持增长态势。工业和信息化部数据显示，2011年电子信息产品进出口总额11292.3亿美元，同比增长11.5%。其中，出口同比增长11.9%，对全国外贸出口增长贡献率达21.9%。从月度走势看，受上年基数逐步走高影响，总体呈前高后低态势，特别是9月份后，出口增速连续低于10%。进口4680.3亿美元，同比增长11%，占全国外贸进口额的26.8%，对全国外贸进口增长的贡献率为13.3%。工业和信息化部有关负责人表示，电子信息产品出口有以下几个特点：首先，基础行业出口相对平稳，整机行业出口增势不一；从出口途径看，对欧美发达经济体出口形势低迷，对新兴市场出口增长较快；从出口结构看，一般贸易出口增长较快，加工贸易出口比重下降；外资企业出口相对缓慢，内资企业出口比重提升。此外，东部地区出口增速差别较大，部分中西部省市增长较快。2012年2月2日康宁公司和三星移动显示有限公司已签署协议，将成立一家新的股权合资企业，为迅速扩张的有机发光二极管（OLED）设备市场制造特种玻璃基板。结合了康宁Lotus玻璃基板技术与三星OLED显示技术，这一新的运营实体将占据优势地位，为当前和未来的用
据尚普咨询发布的研究报告显示：截至到2010年底，国内大概有大大小小500多家IC设计公司，虽然国内IC设计业公司比较多，但却存在一些问题。比如设计水平和设计能力增长缓慢的现状。也面临着成本不断上升，代工厂交货周期长等等问题。因此，十二五期间，行业结构应该进一步的调整，并且加强产业链的上游建设。并且，将继续强化以长三角、京津环渤海和泛珠三角的三大集聚区，以重庆、成都、西安、武汉为侧翼的产业布局，建成一批产业链完善、创新能力强、特色鲜明的产业集聚区。应用前景广阔政策需加强
每次认购比例% 跟单总额元 [注]最低认购比例为1%，(如计算出认购金额为2.2元，则取3元) [注]此方案剩余金额小于系统按照您设置的认购比例计算出的认购金额，将不跟单为加快新材料战略性新兴产业培育和发展，满足国家重大工程和传统产业优化升级的迫切需求，日前，科技部发布十二五规划2013年度材料领域备选项目征集指南。具体如下：一、指南方向与内容1.半导体照明1.1大电流驱动薄膜半导体照明技术开发(前沿技术类)围绕提升大电流注入下LED的光电性能与驱动电源可靠性，开展薄膜LED外延结构、芯片制备及封装技术，高集成、长寿命LED驱动芯片及模块研究，突破大电流驱动薄膜LED关键技术。1.2十城万盏半导体照明应用研究及示范(前沿技术类)研究半导体照明应用产品及智能化控制等系统集成技术，开发低成本、高可靠、规格化LED照明产品，提高灯具光提取效率、散热能力和可靠性，实现量产与规模应用；形成技术规范和标准；建设展示体验中心。【具体要求见指南申报要求(四)】2.新型显示2.1晶体材料和高性能激光引擎技术研究(前沿技术类)开展掺杂铌酸锂等极化晶体和激光引擎技术研究，突破低成本、小型化、高效率、高可靠性等关键技术，研制出全激光与混合发光等多种高性能激光引擎产品，实现量产与规模应用。2.2移动互联网显示关键技术研究(前沿技术类)开发移动互联网用高光效、高分辨率、视觉健康等新型高性能移动互联网显示器件；突破器件结构优化设计、材料制备等关键技术；开发高性能多点触控技术，实现移动互联网显示量产与规模应用。3.新型功能与智能材料3.1先进超导材料及其应用技术(前沿技术类)研发核磁共振用关键超导材料、高性能涂层导体长带材以及基于高性能超导材料的超导限流器和滤波器并实现应用。3.2高端有机氟材料技术研发(前沿技术类)开展六氟环氧丙烷及其衍生特种单体、耐高/低温氟橡胶、含氟涂层关键树脂、涂料级聚偏氟乙烯等制备技术开发并实现应用。3.3新型特种功能关键材料(前沿技术类)开展特高压绝缘材料、碳化硼基防护材料、铜包铝导体材料、多孔陶瓷/树脂复合材料等特种功能材料技术研究，实现量产与规模应用。3.4新型无源电子器件及其关键配套材料(前沿技术类)开展高性能声表面波滤波器、防伪防转移及抗电磁干扰材料、极细金属导体和高端电子铝箔等关键配套材料研究并实现应用。3.5新型智能传感与驱动材料(前沿技术类)开发新型温度敏感、电压敏感、化学敏感和压电、磁流变液等传感与驱动材料及器件，实现在核电、冶金、信息、快速智能检测等领域的应用。4.先进结构与复合材料4.1新型轻质高强合金(前沿技术类)研发新型高品质轻合金材料、高强韧耐腐蚀铁镍基特种合金，开发超薄、大型、复杂合金结构件，突破材料洁净化、均质化、细晶化、冶金缺陷控制、组织调控与精密成形制备技术，实现新型合金综合性能协同提高及工业化制备和规模应用。4.2高性能粉末冶金材料(前沿技术类)研究新型低成本铁基粉末冶金材料和高性能钛基粉末合金及其先进制备技术，突破高品质低氧粉末制备、高密度粉末冶金成形技术、强化和组合烧结、精确热加工等关键技术，实现关键构件尺寸和致密度精确控制及稳定制备和规模应用。4.3高性能金属基复合材料(前沿技术类)开发金属基复合材料结构设计与大型构件制备加工技术，突破增强体与基体适配、先进复合工艺、热处理改性和构件塑性成形与连接技术，提高材料的热强性和使用效能，实现复合材料轻量化、高性能化、多功能化及其稳定制备和规模应用。4.4层状结构先进复合材料(前沿技术类)研究多种金属(铝、钛、钢等)间及金属与非金属复合层状结构材料，突破材料成分设计、结构复合、加工协同变形、界面适配、缺陷控制、板形精确控制等关键技术，实现高效能、低成本层状复合结构材料的量产与规模应用。5.电子材料与器件5.1新型超高密度和移动存储关键技术(前沿技术类)开展电荷陷阱存储器、相变存储器和阻变存储器材料与器件研究。电荷陷阱存储器和相变存储器在移动互联网等方面获得应用；阻变存储器关键技术实现突破。5.2光电子集成芯片及其材料关键工艺技术(前沿技术类)开展多种光电材料集成芯片研究。基于多种材料的光电子集成芯片实现突破，硅基多种光电子器件与微电子电路单片集成芯片实现应用。5.3新型及特种光纤材料与应用关键技术(前沿技术类)掌握新型光纤和特种光纤的制备与应用技术。新型光纤与器件在光传输、光传感等方面获得规模应用，特种光纤与器件在医疗、电力等领域获得规模应用。6.材料设计制备与服役安全6.1材料多层次跨尺度设计与制备新技术(前沿技术类)开发材料多层次跨尺度集成设计技术、全寿命周期设计技术，以及信息与数据支撑系统，研发特种粉体材料近终成型、短流程高效制备及难加工金属高效成形等新技术，实现按使用要求设计和精确制备的目的。7.功能材料的应用开发及集成示范7.1功能化表面活性剂绿色制备及应用技术(应用开发及集成示范类)开发磺酸类等耐极端环境特种表面活性剂、日用化工用绿色浓缩化新型结构和生物质基表面活性剂及其表面活性剂配伍和清洁生产技术，实现规模化生产和应用。7.2绿色制革化工材料开发及应用示范(应用开发及集成示范类)开发绿色制革用助剂、鞣剂、整饰材料及鞋用功能新材料的生产技术，减少硫化物和重金属铬等污染物的产生，建成产业化示范工程。7.3纺织品清洁印染技术开发(应用开发及集成示范类)开发纺织面料湿短蒸印染、泡沫染色整理、分散染料免蒸洗印花、纱线清洁染整和矿物复合材料印染等纺织品清洁印染新技术，实现规模应用。7.4新一代聚己内酰胺(PA6)功能性纤维材料(应用开发及集成示范类)突破大容量PA6高效连续聚合、功能性PA6柔性化聚合、功能性PA6纤维制备及纺织染整等关键技术，建立大容量PA6连续聚合示范线，开发高附加值功能性PA6纤维材料。
7.5高性能特种玻璃开发及应用(应用开发及集成示范类)开展高纯合成石英玻璃、工业微晶玻璃等特种玻璃生产工艺研究及其配套高抗侵蚀耐火材料研制，开发成套高性能特种玻璃生产技术，实现规模应用。8.结构材料的应用开发及集成示范8.1高性能聚酰胺工程塑料产业化关键技术(应用开发及集成示范类)开展耐高温和长碳链聚酰胺树脂、聚酰胺专用材料的合成和制备关键技术研究，建成聚酰胺树脂和专用材料工业化示范装置，实现在下游产业的应用。8.2新型水泥工业化低碳生产技术(应用开发及集成示范类)开展新型水泥熟料的矿物组成及水化过程研究；开发水泥熟料煅烧工艺技术和关键装备，显著降低水泥制备全过程的碳排放和能源、资源消耗，产品综合性能优于普通硅酸盐水泥，实现新型水泥的低碳生产和规模应用。二、指南申报要求(一)实施年限按照项目所属分类，前沿技术研究类为3-5年、应用开发与集成示范类为3年。(二)经费额度前沿技术研究类、应用开发与集成示范类项目申请的国拨经费原则上均不超过1000万元。(三)申报说明各申报单位可按指南二级标题(如:1.1)的方向申报全部或部分研究内容。其中，前沿技术研究类中有量产与规模应用要求的申请方向，须由企业牵头申报，应用开发及集成示范类申请方向均须由企业牵头申报。(四)十城万盏半导体照明应用研究及示范方向具体要求面向城市道路、隧道、广场、车站、停车场、节能建筑等市政照明不同应用场所，开展不同类型的半导体照明特色应用示范，开展特色应用相关技术开发，支撑十城万盏半导体照明试点工作。具体要求如下：1．本方向仅面向37家十城万盏试点城市申报，每个试点城市限报一项(不占用所在省市指标)，择优予以支持；2．试点城市结合试点工作方案，针对一种典型市政照明应用场所研究提出应用示范项目，组织构建以企业为主体，产、学、研、用紧密结合的研究团队；3．推荐项目由省级科技行政部门和省级住房城乡建设行政部门联合推荐，正式推荐函网上申报截止前报送我部。(五)申报咨询科技部高技术研究发展中心材料处：联系人：史冬梅蒋志君联系方式：010-68338021、68338919国内最大PCB废液回收处理的昶昕实业(8438-TW)，被指控涉入违法卖出硫酸铜给饲料业者，总经理陈彦亨强调，公司一切合法，对于出货给客户，客户怎么处理，昶昕无权无法干涉，公司出货所有产品上面都有注明工业用，绝不会让客户有混淆之虞，若有不肖人士意图捏